高純?yōu)R射靶材是伴隨著半導(dǎo)體工業(yè)的發(fā)展而興起的，研發(fā)生產(chǎn)設(shè)備專用性強，涉及測試平臺精密度高，全球半導(dǎo)體工業(yè)的區(qū)域集聚性造就了高純?yōu)R射靶材生產(chǎn)企業(yè)的高度聚集。另外金屬靶材是高純?yōu)R射靶材重要的生產(chǎn)來源，金屬靶材的制備中包括材料純化和靶材制備兩個過程，提純化過程中確保降低靶材中雜志含量，制備過程確保靶材表面平整程度。

高純?yōu)R射靶材與金屬靶材料提純化過程中主要方法包括化學(xué)提純化和物理提純法。化學(xué)提純法分為濕法提純和火法提純，濕法提純包括離子交換、溶劑萃取、置換沉淀和電解精煉等；火法提純包括氯化精餾、碘化熱分解、金屬有機物熱分解、歧化分解、熔析精煉和熔鹽電解等。目前應(yīng)用最多的是電解精煉提純，其原理是在電解過程中，利用雜質(zhì)金屬和主金屬在陰極上析出電位差異從而達(dá)到提純目的。常見的如高純Cu、Co、Ni、Ag和Ti。

高純?yōu)R射靶材的物理提純法利用主體金屬與雜質(zhì)物理性質(zhì)差異，采用蒸發(fā)、凝固、結(jié)晶、擴(kuò)散、電遷移等物理過程去除雜質(zhì)，具體方法包括區(qū)域熔融法、偏析提純法、真空蒸餾法、單晶法和電遷移法，一般此類提純在真空條件下進(jìn)行，一些吸氣性很強的金屬需要在高正空和超高真空條件下完成提純，其原理是在此條件下降低氣體分子在金屬中溶解度從而實現(xiàn)提純，對于低熔點的Al、Cu、Au和Ag等金屬及其合金等采用真空感應(yīng)熔煉制備；對于高熔點的Ti、Co、Ta和Ni等金屬采用真空電子束爐或電弧熔煉制備。

目前高純?yōu)R射靶材技術(shù)不斷進(jìn)行改進(jìn)和生產(chǎn)，在過去幾十年中濺射鍍膜工藝起源于國外，西方國家投入較早。目前，全球半導(dǎo)體濺射靶材研制和生產(chǎn)主要集中在美國、日本少數(shù)幾家公司。以霍尼韋爾（美國）、日礦金屬（日本）、東曹（日本）等跨國集團(tuán)為代表的濺射靶材生產(chǎn)商較早涉足該領(lǐng)域，經(jīng)過幾十年的技術(shù)積淀，憑借其雄厚的技術(shù)力量、精細(xì)的生產(chǎn)控制和過硬的產(chǎn)品質(zhì)量居于全球濺射靶材市場的主導(dǎo)地位，占據(jù)絕大部分市場份額。