濺射靶材在很多行業應用生產都有非常重要的作用，尤其是在半導體生產上對電子元器件產品性能的提升有很大的幫助，高阻濺射靶材是電阻器生產的重要材料，這種技術的使用可以有效提高合金電阻器的性能，那么高阻濺射靶材如何制造合金電阻器呢，下面我們來進行分析。

目前很流行制造金屬膜電阻器一般采用熱壓成型高阻靶材產品，可以克服由于Si元素含量偏高引起的靶材脆性較高，容易開裂的難題；所制造的靶材晶粒尺寸細小、大小分布均勻、致密度高、外部無裂紋、內部無孔隙，能夠有效提升金屬膜電阻器的質量和薄膜沉積速率。同時在合金熔煉過程中添加少量稀土元素能夠減少Zr元素在合金組織中的偏聚現象，改善靶材成分分布均勻性。它的制造流程如下：

一、高阻濺射靶材配料：組分為Si、Cr、Ni、Al、Zr及稀土金屬；重量比為，Si：30-70%，Cr：25-50%，Ni：2-20%，Al：0.5-5%，Zr：0.5-5%，其中五元素質量百分比總和為100%，稀土金屬添加量為五元素總質量的0.1-2.5%；

二、高阻濺射靶材熔煉：采用真空感應熔煉爐制備合金鑄錠；

三、高阻濺射靶材制粉：將合金錠制成所需粉料；

四、高阻濺射靶材熱壓成型：定量稱取合金粉料裝入熱壓燒結爐熱壓成型；

五、高阻濺射靶材機加工：對燒結后樣品進行表面拋光及外形加工處理。

由上五點制造流程，而制造這些靶材需要的稀土金屬包括Sc，Y，La，Ce，Pr，Nd，Sm，Eu，Gd，Tb，Dy，Ho，Er，Tm，Yb，Lu中的一種或幾種。高阻濺射靶材的真空感應熔煉爐可以是真空感應懸浮熔煉爐，熔煉功率為45KW—60KW，熔煉過程3—5分鐘，在惰性氣體保護下進行。高阻濺射靶材的制粉，其粉料粒度為小于500μm。高阻濺射靶材熱壓成型，熱壓爐內真空度高于1×10-2Pa，燒結溫度為1030-1100℃，成型壓力為15-35MPa，保溫保壓1-4小時。

通過高阻濺射靶材所制造靶材晶粒尺寸細小、大小分布均勻、致密度高、外部無裂紋、內部無孔隙，能夠有效提升金屬膜電阻器的質量和薄膜沉積速率，而且成品率高，易于規模化生產。目前國際市場上生產電阻器的公司都在采用這種制造方法，而且在高阻濺射靶材的選擇上也進行多層選材，以便提高生產效率。