鎳鐵合金材料Pt器件從LRS切換到HRS。當在1.8 ~ 2.2 V電壓范圍內增加電壓發生軟擊穿時，器件由HRS切換為LRS。鎳鐵合金材料具有反尖晶石結構，其Fe-O鍵比Ni-O鍵更強，導致氧空位形成。顯示了改變Fe3+和Ni2+離子的價態時的磁還原效應。氧空位和陽離子的還原可能導致磁化強度的降低和電導率的增加。由于氧空位的湮沒(熱效應驅動)和陽離子價的變化(復位過程中的氧化還原效應)導致了絲的斷裂。圖3(c)和(d)描述了鎳鐵合金材料薄膜中導電絲的形成和斷裂過程。

利用熔體紡絲技術合成了厚度為~ 40 ~ 50 μm，長度為~ 1 ~ 2 cm的Cu50Mn25Al25-xGax (x = 0,2,4,8和10)合金。用Ga取代Al對合金體系的晶格常數和價電子比(e/a)沒有明顯的改變，這是值得關注的。討論了熱處理對Cu50Mn25Al25-xGax帶磁性和相變行為的影響。研究了Cu50Mn25Al25-xGax合金中Ga取代后的結構/微觀結構變化及其與磁性能的關系。研究鎳鐵合金材料Ga取代對Heusler相穩定性的影響。熔鑄Cu50Mn25Al25-xGax (x = 0,2,4,8和10合金的XRD譜圖所示。單一的赫斯勒階段Cu2MnAl結構觀察合金與x = 0, 2, 4, 8,而合金x = 10顯示一些衍射峰對應于Cu9Al4類型階段。

因此可以說，在Ga取代合金材料中也觀察到了Heusler相，并且在x = 8時是穩定的。含x &gt的合金除形成Heusler相外，還析出了γ-Cu9Al4型額外晶相;8. 從x = 0到x = 8，合金的晶格參數略有增加。這是由于Ga和Al的原子大小幾乎相等。表1顯示了晶格參數隨Ga含量的變化。當x = 10時，晶格參數沒有明顯的增加。8可能是由于Ga原子的過量，不再取代晶體結構中相應數量的Al原子。因此，Heusler相的晶格常數幾乎保持不變。因此，鎳鐵合金材料中Ga原子只能在0≤x≤8的含量范圍內替代Al原子。因此，x = 8是臨界Ga濃度(xc)，超過此濃度的合金具有混合相。